[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810055153.4 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108258090A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 卢国军;马后永 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾正超 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法，LED外延结构包括：衬底；位于衬底上的第一类型外延层；位于第一类型外延层上的调节层，调节层包括N个周期层叠的第一势阱层和第一势垒层，从第一个周期至第N个周期，第一势阱层中含In的组分呈渐变式变化，和/或第一势垒层中含Al的组分呈渐变式变化，其中，N为大于等于3的整数；位于调节层上的量子阱结构层；位于量子阱结构层上的第二类型外延层。因在第一类型外延层和量子阱结构层之间加入了调节层，调节层的第一势阱层中含In的组分和/或第一势垒层中含Al的组分呈渐变式变化，能改善外延层的晶体质量和应力状态，有效改善大电流下载流子泄露的问题，提升LED的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 调节层 外延层 量子阱结构层 渐变式 势垒层 势阱层 衬底 制备 载流子 应力状态 泄露 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；调节层，位于所述第一类型外延层上，所述调节层包括N个周期层叠的第一势阱层和第一势垒层，从第一个周期至第N个周期，所述第一势阱层中含In的组分呈渐变式变化，和/或所述第一势垒层中含Al的组分呈渐变式变化；量子阱结构层，位于所述调节层上，所述量子阱结构层包括周期层叠的第二势阱层和第二势垒层；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上；其中，N为大于等于3的整数。
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