[发明专利]一种提高维持电压的带假栅静电释放器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高维持电压的带假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区，所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，所述第一多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，所述NDD区内从左至右依次设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区；所述第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构，以提高器件的维持电压。本发明采用多晶硅假栅结构，能够使得LDMOS器件的静电放电远离沟道区域的表面，绝大部分的静电电流均从器件的体内泄放，因此器件能够承受足够高强度的ESD脉冲应力，防止器件的表面发生热击穿现象。

主权项

1.一种提高维持电压的带假栅静电释放器件，其特征在于：包括衬底、HVNW区、P‑body区、NDD区、第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一多晶硅栅、第二多晶硅假栅，所述衬底中设有HVNW区，HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区，所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，所述第一多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间，所述NDD区内从左至右依次设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区；所述第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构，以提高器件的维持电压。