[发明专利]提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件，包括衬底，衬底中设有HVNW区，HVNW区左半部分内设有P‑body区，P‑body区内设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一多晶硅栅横跨在P‑body区和HVNW区交界处，HVNW区右半部分内设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区；第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构。本发明的器件采用多晶硅假栅结构，能够使得LDMOS‑SCR器件结构的ESD放电远离沟道的表面，绝大多数ESD电流应力均从器件结构体内泄放，因此所述器件结构能够承受足够高的静电放电脉冲应力，从而防止器件的表面出现热击穿。

主权项

1.一种提高维持电压的多晶硅假栅静电释放器件，其特征在于：包括衬底、P‑body区、HVNW区、第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第一多晶硅栅、第二多晶硅假栅，所述衬底中设有HVNW区，HVNW区左半部分内设有P‑body区，P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一多晶硅栅横跨在P‑body区和HVNW区交界处，HVNW区右半部分内从左至右依次设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区；所述第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构，以提高器件的维持电压。