[发明专利]一种量子点发光二极管的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810046972.2 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108346752A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈树明;苏强;张恒;孙小卫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供基底，在所述基底表面制备第一电极；在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；在所述发光功能层上制备第二电极，得到初始量子点发光二极管；将所述初始量子点发光二极管整体进行退火处理，得到量子点发光二极管。该制备方法工艺简单，可用于工业化生产，制得的量子点发光二极管具有很高的发光效率，以及出色的发光性能。本发明还提供了量子点发光二极管的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 制备 发光功能层 第一电极 制备方法和应用 制备方法工艺 第二电极 发光效率 发光性能 基底表面 退火处理 发光层 基底 可用 应用 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底表面制备第一电极；在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；在所述发光功能层上制备第二电极，得到初始量子点发光二极管；将所述初始量子点发光二极管整体进行退火处理，得到量子点发光二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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