[发明专利]TFT的制造方法及TFT基板

摘要

本发明公开一种TFT的制造方法及TFT基板。在刻蚀形成多晶硅图案的过程中，多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被光刻胶图案的镂空区暴露，然后采用第一刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的突起，再采用第二刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的部分。基于此，本发明能够有利于完全刻蚀去除未被光刻胶图案遮盖的多晶硅层，避免刻蚀残留。

主权项

1.一种TFT的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层和非晶硅层，所述非晶硅层为覆盖所述栅极绝缘层的一整面结构；对所述非晶硅层进行退火处理以形成多晶硅层，所述多晶硅层的表面分布有多个突起；在所述多晶硅层上覆盖光刻胶图案，所述多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被所述光刻胶图案的镂空区暴露；采用第一刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的突起；采用第二刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以完全去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的部分，以此形成多晶硅图案；去除所述光刻胶图案；在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述多晶硅图案的介质隔离层，所述介质隔离层开设有相对间隔设置的两个通孔，所述两个通孔分别暴露所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区；在所述介质隔离层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和漏极图案各填充一个所述通孔并分别与所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区接触。