[发明专利]TFT的制造方法及TFT基板在审

申请号：	201810039103.7	申请日：	2018-01-15
公开（公告）号：	CN108257873A	公开（公告）日：	2018-07-06
发明（设计）人：	喻蕾;李松杉	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280	代理人：	钟子敏
地址：	430000 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	多晶硅层光刻胶图案刻蚀遮盖去除刻蚀气体多晶硅图案非镂空区镂空区突起制造残留暴露
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【说明书】：

本发明公开一种TFT的制造方法及TFT基板。在刻蚀形成多晶硅图案的过程中，多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被光刻胶图案的镂空区暴露，然后采用第一刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的突起，再采用第二刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的部分。基于此，本发明能够有利于完全刻蚀去除未被光刻胶图案遮盖的多晶硅层，避免刻蚀残留。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)的制造方法及TFT基板。

背景技术

在TFT的制造工艺中，如图1所示，在对基板10上的非晶硅(a-Si)层采用ELA(Excimer Laser Anneal,准分子激光退火)工艺形成多晶硅(p-Si)层11时，相邻晶核成长时晶界互相挤压，在结晶完成后，多晶硅层11的表面会形成形状较小的突起111。在后续的干刻蚀(Dry etch)工艺中，光刻胶图案12覆盖多晶硅层11的需要保留的部分，并暴露需要刻蚀去除的部分，然而未被光刻胶图案12遮盖的突起111很难被完全刻蚀去除，造成位于基板10上的多晶硅残留112，即刻蚀残留，从而严重影响TFT器件特性。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种TFT的制造方法及TFT基板，有利于完全刻蚀去除未被光刻胶图案遮盖的多晶硅层。

本发明一实施例的TFT的制造方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层和非晶硅层，所述非晶硅层为覆盖栅极绝缘层的一整面结构；

对所述非晶硅层进行退火处理以形成多晶硅层，所述多晶硅层的表面分布有多个突起；

在所述多晶硅层上覆盖光刻胶图案，所述多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被所述光刻胶图案的镂空区暴露；

采用第一刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的突起；

采用第二刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以完全去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的部分，以此形成多晶硅图案；

去除所述光刻胶图案；

在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述多晶硅图案的介质隔离层，所述介质隔离层开设有相对间隔设置的两个通孔，所述两个通孔分别暴露所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区；

在所述介质隔离层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和漏极图案各填充一个所述通孔并分别与所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区接触。