[发明专利]一种带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810038234.3 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108269843A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;王浩;张龙;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型SOI层和隔离沟槽，N型SOI层上设有N型缓冲区和P型体区，在N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在P型体区内设有N型发射极区，其右侧设有P型发射区，在发射极区上连接有发射极金属，在N型SOI层的上方设有场氧层，在N型SOI层内具有位于场氧化层下方的沟槽，沟槽内填充有多晶硅且沟槽下方不与氧化层相连，沟槽长度为1微米～100微米，沟槽数目为2～10个。所述带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，位于绝缘层上硅层内且位于场氧化层下方的沟槽形成步骤依次为反应离子刻蚀，氧化层填充，多晶硅填充。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型晶体管 横向绝缘栅 制备 场氧化层 氧化层 埋氧 填充 反应离子刻蚀 沟槽形成步骤 多晶硅填充 发射极金属 集电极金属 绝缘层上硅 发射极区 隔离沟槽 集电极区 场氧层 多晶硅 衬底 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种带有沟槽的横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上方设有埋氧层(2)，在埋氧层(2)上设有N型SOI层(3)，在N型SOI层(3)中设有用于相邻器件隔离的隔离沟槽(4)，在隔离沟槽(4)及N型SOI层(3)上方分别设有场氧化层(7)，在N型SOI层(3)上分别设有P型体区(5)和N型缓冲区(6)，在P型体区(5)中设有重掺杂的P型发射极区(8)和重掺杂的N型发射极区(10)，在重掺杂的P型发射极区(8)和重掺杂的N型发射极区(10)上连接有发射极金属(9)，在P型体区(5)的边界上方设有栅氧化层(12)，并且栅氧化层(12)的一端延伸至重掺杂的N型发射极区(10)的边界，另一端延伸至场氧化层的边界，在栅氧化层(12)上覆盖有多晶硅栅极(11)且多晶硅栅极(11)延伸至场氧化层上方，在N型缓冲层(6)中设有重掺杂的P型集电极区(14)且位于场氧化层之间，在重掺杂的P型集电极区(14)上连接有集电极金属(15)，其特征在于，在N型SOI层内设有沟槽(13)，且沟槽(13)位于N型SOI层上方的场氧化层的下方，在沟槽(13)的内壁和底部设有氧化层，在氧化层内填充有多晶硅。
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