[发明专利]多芯片晶片级封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201810022467.4 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109727964A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈硕懋;许峯诚;黄翰祥;刘献文;郑心圃;李孝文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供多种多芯片晶片级封装及其形成方法。一种多芯片晶片级封装包括第一层级及第二层级。所述第一层级包括第一重布线层结构及位于所述第一重布线层结构之上的至少一个芯片。所述第二层级包括第二重布线层结构以及位于所述第二重布线层结构之上的至少两个其他芯片。所述第一层级接合到所述第二层级，使得所述至少一个芯片在实体上接触所述第二重布线层结构。所述至少两个其他芯片的连接件的总数目大于所述至少一个芯片的连接件的总数目。 | ||
| 搜索关键词： | 层级 重布线层 芯片 晶片级封装 多芯片 连接件 接合 | ||
【主权项】：
1.一种多芯片晶片级封装，其特征在于包括：第一层级，包括第一重布线层结构及位于所述第一重布线层结构之上的至少一个芯片；以及第二层级，包括第二重布线层结构以及位于所述第二重布线层结构之上的至少两个其他芯片，其中所述第一层级接合到所述第二层级，使得所述至少一个芯片在实体上接触所述第二重布线层结构，且其中所述至少两个其他芯片的连接件的总数目大于所述至少一个芯片的连接件的总数目。
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