[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201810018449.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110021663B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;林家辉;杨国裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其主要包含：一第一栅极结构设于一基底上；一第一漏极区域具有第一导电型式设于第一栅极结构一侧；一源极区域具有第一导电型式设于第一栅极结构另一侧以及一第一基体掺杂区具有第二导电型式设于源极区域内并同时位于部分第一栅极结构下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一栅极结构，设于一基底上；第一漏极区域，具有第一导电型式，设于该第一栅极结构一侧；源极区域，具有该第一导电型式，设于该第一栅极结构另一侧；以及第一基体掺杂区，具有第二导电型式，设于部分该第一栅极结构下方。
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