[发明专利]一种基于钙铁矿薄膜的发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于钙铁矿薄膜的发光二极管及其制备方法，所述发光二极管从下至上依次为衬底、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述发光层采用有机和无机杂化ABX3型立方晶系结构发光材料制成，其中A为有机胺基团，B为第四主族金属，X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合，所述发光层的制备过程中利用双源混蒸钙钛矿前驱材料在基板上形成钙钛矿薄膜，所述基板接触制冷背板，在蒸镀过程中保持基板在低温状态，前驱材料分子在低温基板上能够迅速结晶，形成的钙钛矿薄膜中晶粒粗糙度低，结晶性好，晶粒小。此方法提高了发光二极管的亮度和量子效率，解决钙钛矿发光二极管性能偏差大、亮度弱的问题。

主权项

1.一种基于钙铁矿薄膜的发光二极管,其特征在于：所述发光二极管从下至上依次为衬底(1)、阳极层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)和阴极层(6)。