[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810014441.5 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110021662B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部；在半导体衬底表面和鳍部部分侧壁形成导热层，所述导热层暴露出鳍部顶部表面，所述导热层的热传导率高于鳍部的热传导率，所述导热层顶部表面低于鳍部顶部表面；形成导热层后，在半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖导热层和鳍部部分侧壁，隔离结构顶部表面高于导热层顶部表面。所述方法能降低器件的自发热效应，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在半导体衬底表面和鳍部部分侧壁表面形成导热层，所述导热层的热传导率高于鳍部的热传导率，所述导热层顶部表面低于鳍部顶部表面；形成导热层后，在半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖导热层和鳍部部分侧壁，隔离结构顶部表面高于导热层顶部表面。
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