[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成鳍部；

在半导体衬底表面和鳍部部分侧壁表面形成导热层，所述导热层的热传导率高于鳍部的热传导率，所述导热层的材料包括单晶硅、多晶硅、非晶硅，所述导热层顶部表面低于鳍部顶部表面；

形成导热层后，在半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖导热层和鳍部部分侧壁，隔离结构顶部表面高于导热层顶部表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的材料包括：锗、硅锗或Ⅲ-Ⅴ族化合物材料，Ⅲ-Ⅴ族化合物材料包括：砷化镓或铟镓砷；所述鳍部的形成步骤包括：在所述半导体衬底上外延形成鳍部材料层，对所述鳍部材料层图形化处理形成鳍部。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导热层的厚度为1nm～5nm。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导热层顶部表面距离鳍部顶部表面的距离为第一距离。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一距离为40nm～80nm。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导热层的形成步骤包括：在半导体衬底和鳍部上形成初始导热层，所述初始导热层覆盖鳍部顶部表面和侧壁表面；形成初始导热层后，在所述初始导热层上初始牺牲层，所述初始牺牲层覆盖鳍部顶部表面和侧壁表面；回刻蚀所述初始牺牲层，形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分鳍部侧壁，形成牺牲层后，去除牺牲层暴露出的鳍部顶部表面和侧壁表面的初始导热层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成导热层后，去除导热层表面的牺牲层。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：有机材料。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除导热层表面牺牲层的工艺包括：灰化工艺。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成导热层后，形成隔离结构之前，还包括：在鳍部表面和导热层表面形成氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括：氧化硅。

12.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构顶部表面距离鳍部顶部表面的距离为第二距离，第二距离小于第一距离。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二距离为40nm～60nm。

14.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括，形成隔离结构后，在所述隔离结构和鳍部上形成横跨所述鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部顶部表面和部分侧壁表面，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层表面的栅极层。

15.一种半导体器件的结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底上的鳍部；

位于半导体衬底表面和鳍部部分侧壁表面的导热层，所述导热层的热传导率高于鳍部的热传导率，所述导热层的材料包括单晶硅、多晶硅、非晶硅，所述导热层暴露出鳍部顶部表面，所述导热层顶部表面低于鳍部顶部表面；位于半导体衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖导热层顶部表面和侧壁表面和鳍部部分侧壁，隔离结构顶部表面高于导热层顶部表面。