[发明专利]一种具有扩展电极的芯片级封装结构在审
| 申请号： | 201810007923.8 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108365071A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陆冰睿;张思超;王善力 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括底部设第一电极的芯片，芯片出光面上设荧光粉浓度记作w1的第一浓度荧光层，形成封装体A，且芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的荧光粉浓度记作w2的第二浓度荧光层，形成封装体B，且w1＞w2；封装体B的侧面和芯片底部还设与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，无机绝缘反射层的底部设通孔，该通孔内连接有第二扩展电极，第二扩展电极的间距大于第一电极的间距，且其顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。本发明的优点在于：扩展电极的设置，可降低后期电极对准等工艺流程的工艺精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展电极 封装体 第一电极 荧光粉 芯片 无机绝缘 反射层 荧光层 芯片级封装结构 侧面 顶面 通孔 工艺精度要求 电极对准 工艺流程 半透明 内连接 透明状 覆盖 配合 | ||
【主权项】：
1.一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括一底部设有第一电极的芯片，在所述芯片出光面上设置有第一浓度荧光层，形成封装体A，且所述芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；在所述封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的第二浓度荧光层，形成封装体B；所述第一浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w1，第二浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w2，且w1＞w2；其特征在于：在所述封装体B的侧面和芯片底部还设有与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，形成封装体C；在所述无机绝缘反射层的底部还设有通孔，所述通孔内连接有第二扩展电极，所述第二扩展电极之间的间距大于第一电极之间的间距，且第二扩展电极的顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海迪科（南通）光电科技有限公司，未经海迪科（南通）光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810007923.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光元件
- 下一篇：一种LED芯片及其制造方法
