[发明专利]一种具有扩展电极的芯片级封装结构

说明书

本发明涉及一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括底部设第一电极的芯片，芯片出光面上设荧光粉浓度记作w₁的第一浓度荧光层，形成封装体A，且芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的荧光粉浓度记作w₂的第二浓度荧光层，形成封装体B，且w₁＞w₂；封装体B的侧面和芯片底部还设与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，无机绝缘反射层的底部设通孔，该通孔内连接有第二扩展电极，第二扩展电极的间距大于第一电极的间距，且其顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。本发明的优点在于：扩展电极的设置，可降低后期电极对准等工艺流程的工艺精度要求。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种CSP封装结构，特别涉及一种具有扩展电极的芯片级封装结构。

背景技术

发光二极管（LED）是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，尤其作为绿色光源而广泛被应用在社会各个方面。发光二极管的封装结构通常包括荧光粉。所述荧光粉通常混合在封装胶中，用以改变发光二极管所发出光的颜色。

现有的LED应用中，所谓CSP光源是指一类LED器件，其核心是CSP光源采用荧光粉或荧光胶体膜包裹住倒装芯片结构。因此免除了传统LED光源的大部分封装步骤和结构，使得封装体尺寸大大减小。但是，目前CSP光源封装技术往往是将晶圆切割裂片后，通过对发光芯片分选重排后再进行荧光粉或荧光胶体压膜等后续工艺，工序仍然较为繁琐，工艺成本较高；一方面因为形成的荧光粉或荧光胶体层较厚且不透明，造成发光芯片散热较差，对再次切割分离覆盖荧光粉或荧光胶体的发光芯片有较大的精度要求；且不透明的荧光粉或荧光胶体层不利于对准电极和固晶等后续工艺。

针对上述现象，本公司已申请了一种晶圆级芯片级CSP封装结构的专利，如图1所示，包括一底部设有电极4^，的芯片1^，，在所述芯片1^，出光面上设置有第一浓度荧光层2^，，形成封装体A，且所述芯片1^，出光面的侧面≥90%面积无第一浓度荧光层2^，覆盖；在所述封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明甚至透明状的第二浓度荧光层3^，，形成封装体B；所述第一浓度荧光层2^，中的荧光粉浓度记作w₁，第二浓度荧光层3^，中的荧光粉浓度记作w₂，且w_1＞w₂；但该封装结构仍存在一些问题：由于芯片尺寸减小造成锡膏不足，目前常常通过降低发光芯片电极间距来解决附着力不足的问题，芯片电极间距甚至达到90μm以下，这就对后期贴准等工艺提出了较高的精度要求，同时也极易造成漏电和虚焊等可靠性问题；且传统的单面出光的封装结构光提取效率较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对目前CSP封装技术所存在的工序较为繁琐、电极间距较小以及封装结构光提取效率低的问题，提供一种具有扩展电极的芯片级封装结构。