[发明专利]一种具有扩展电极的芯片级封装结构

权利要求书

1.一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括一底部设有第一电极的芯片，在所述芯片出光面上设置有第一浓度荧光层，形成封装体A，且所述芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；在所述封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的第二浓度荧光层，形成封装体B；所述第一浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w₁，第二浓度荧光层中的荧光粉浓度记作w₂，且w₁＞w₂；其特征在于：在所述封装体B的侧面和芯片底部还设有与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，形成封装体C；在所述无机绝缘反射层的底部还设有通孔，所述通孔内连接有第二扩展电极，所述第二扩展电极之间的间距大于第一电极之间的间距，且第二扩展电极的顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。

2.根据权利要求1所述的具有扩展电极的芯片级封装结构，其特征在于：以第二扩展电极所在的水平面为基准面，所述绝缘反射层底部的高度不低于第二扩展电极底部的高度，且绝缘反射层底部的高度不高于第一电极底部的高度。

3.根据权利要求1或2所述的具有扩展电极的芯片级封装结构，其特征在于：所述封装体B为碗杯状结构。

4.根据权利要求1或2所述的具有扩展电极的芯片级封装结构，其特征在于：所述第一电极之间的间距为5～120μm，第二扩展电极之间的间距为≥150μm。

5.根据权利要求1所述的具有扩展电极的芯片级封装结构，其特征在于：所述第一浓度荧光层和第二浓度荧光层的荧光层均是由荧光粉或荧光胶体中的任一种形成的。

6.根据权利要求1或5所述的具有扩展电极的芯片级封装结构，其特征在于：所述第一浓度荧光层中荧光粉质量占比为50～90%，所述第二浓度荧光层中荧光粉质量占比为0～40%。