[发明专利]一种太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810003927.9 申请日: 2018-01-03
公开(公告)号: CN108231954B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 张鑫;范维涛;孙晨财 申请(专利权)人: 维科诚(苏州)光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 汪青;周敏
地址: 215121 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种太阳能电池的制备方法,对硅片表面进行制绒清洗;在硅片的正面主栅区域生长掩膜;在硅片的正面制备发射极;在发射极上沉积氮化硅膜,在硅片的背面背电极区域生长掩膜;在硅片背面的掩膜上印刷背电极;在硅片的背面印刷背电场;在氮化硅膜上且在主栅区域印刷主栅,在氮化硅膜上印刷细栅;对硅片进行烧结制成太阳能电池。本发明通过生长电极区域掩膜减少电极中银在硅中产生的缺陷;本发明可在常规产线实现,增加步骤少,成本无明显升高;本发明制得的太阳能电池的破碎率低,转换效率高。
搜索关键词: 硅片 太阳能电池 掩膜 制备 印刷 氮化硅膜 主栅区域 背电极 发射极 背面 沉积氮化硅膜 电极区域 硅片表面 区域生长 制绒清洗 转换效率 烧结 背电场 破碎率 电极 生长 产线 细栅 主栅 升高
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(1)、对硅片表面进行制绒清洗;步骤(2)、在经步骤(1)处理后的硅片的正面主栅区域生长掩膜;步骤(3)、在经步骤(2)处理后的硅片的正面制备发射极;步骤(4)、在经步骤(3)处理后的发射极上沉积氮化硅膜,在经步骤(3)处理后的硅片的背面背电极区域生长掩膜;步骤(5)、在经步骤(4)处理后的硅片背面的掩膜上印刷背电极;步骤(6)、在经步骤(5)处理后的硅片的背面印刷背电场;步骤(7)、在经步骤(6)处理后的氮化硅膜上且在主栅区域印刷主栅,在经步骤(6)处理后的氮化硅膜上印刷细栅;主栅和细栅分开印刷,所述的主栅采用高焊接拉力的银浆,所述的细栅采用高塑型的银浆;步骤(8)、对经步骤(7)处理后的硅片进行烧结制成太阳能电池。
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