[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201780087013.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110447092A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 古畑武夫;藤野俊明;井上和式 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C23C14/08;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/363;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供一种能够抑制有害的波长的光到达活性层的技术。薄膜晶体管基板具备：活性层(5)，配置于栅极绝缘膜(2)上，在俯视时与栅电极(3)重叠，包含氧化物半导体；源电极(4)及漏电极(6)，与活性层(5)分别连接；保护绝缘膜(8)，配置于活性层(1)、源电极(4)及漏电极(6)上；以及像素电极(7)，配置于包括栅极绝缘膜(2)或者栅极绝缘膜(2)及保护绝缘膜(8)的绝缘膜上且吸收层(1)上方，与漏电极(6)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 活性层 栅极绝缘膜 漏电极 薄膜晶体管基板 保护绝缘膜 源电极 配置 氧化物半导体 像素电极 绝缘膜 吸收层 栅电极 波长 俯视 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，具备：基板<11>；栅电极<3>，配置于所述基板上；吸收层<1>，在所述基板上配置为与所述栅电极相离，包含氧化物半导体；栅极绝缘膜<2>，配置于所述栅电极及所述吸收层上；活性层<5>，配置于所述栅极绝缘膜上，在俯视时与所述栅电极重叠，包含氧化物半导体；源电极<4>及漏电极<6>，与所述活性层分别连接；保护绝缘膜<8>，配置于所述活性层、所述源电极及所述漏电极上；以及像素电极<7>，配置于所述栅极绝缘膜上或者包括所述栅极绝缘膜及所述保护绝缘膜的绝缘膜上且所述吸收层上方，与所述漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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