[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

目的在于提供一种能够抑制有害的波长的光到达活性层的技术。薄膜晶体管基板具备：活性层(5)，配置于栅极绝缘膜(2)上，在俯视时与栅电极(3)重叠，包含氧化物半导体；源电极(4)及漏电极(6)，与活性层(5)分别连接；保护绝缘膜(8)，配置于活性层(1)、源电极(4)及漏电极(6)上；以及像素电极(7)，配置于包括栅极绝缘膜(2)或者栅极绝缘膜(2)及保护绝缘膜(8)的绝缘膜上且吸收层(1)上方，与漏电极(6)连接。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

作为以往的一般的薄型面板之一的液晶显示装置(Liquid Crystal Display：LCD)具有低功耗和小型轻量这样的优点，被广泛用于个人计算机或便携信息终端设备的监视器等。近年来，液晶显示装置还被广泛用作TV用途。

另外，为了解决液晶显示装置中成为问题的视场角和对比度的限制或者难以追踪应对动画的高速响应这样的问题，将如EL(Electro-Luminescence，电致发光)元件那样的发光体用作像素的电场发光型EL显示装置也被用作下一代的薄型面板用设备。此外，EL元件为自发光型且具有广视场角、高对比度以及高速响应等液晶显示装置不具有的特征。

将半导体层用作沟道层(活性层)的MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)构造被经常利用于用于这些显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)。MOS构造的薄膜晶体管有反向交错型(底栅型)和顶栅型这样的种类。另外，非晶形Si膜或多晶Si膜被用于沟道层。例如，在小型的显示面板，根据显示区域的开口率的提高、分辨率的提高以及通过薄膜晶体管构成栅极驱动器等周边驱动电路的必要性等观点，常常使用多晶Si膜。但是，最近，移动度比非晶硅高且能够低温成膜的InGaZnO系的氧化物半导体层被用作薄膜晶体管的沟道层。能够用溅射法形成该氧化物半导体层。

用于显示装置的薄膜晶体管配置于玻璃基板等透明基板上，在始终接受来自背光源的光照射的状态下被使用。作为背光源，一般使用白色LED(Light Emitting Diode，发光二极管)，白色LED的发光光谱在波长450nm附近具有强的峰值。

另一方面，InGaZnO系的氧化物半导体层的能带隙例如是3.1eV左右，相对可见光透明。但是，在能带内，存在通过被波长450nm附近的光激励而生成载流子的能级。生成的载流子成为引起薄膜晶体管的特性偏移和特性变动的原因。

因此，为了抑制如上所述的光照射的影响即薄膜晶体管的特性偏移和特性变动，实施了用于抑制向半导体层的光入射的各种工作。例如，在专利文献1的技术中，在活性层上配置有包括氧化物半导体的遮光层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-222176号公报

发明内容

然而，在专利文献1的技术中，虽然如上所述在活性层上配置有遮光层，但无法遮挡从栅电极彼此的间隙朝活性层直接入射的光。另外，由于还有在TFT内的各层的界面反射而从侧方朝活性层入射的光等，所以存在遮光性能不充分这样的问题。

因此，本发明是鉴于如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制有害的波长的光到达活性层的技术。

本发明的薄膜晶体管基板具备：基板；栅电极，配置于所述基板上；吸收层，在所述基板上配置为与所述栅电极相离，包含氧化物半导体；栅极绝缘膜，配置于所述栅电极及所述吸收层上；活性层，配置于所述栅极绝缘膜上，在俯视时与所述栅电极重叠，包含氧化物半导体；源电极及漏电极，与所述活性层分别连接；保护绝缘膜，配置于所述活性层、所述源电极及所述漏电极上；以及像素电极，配置于所述栅极绝缘膜上或者包括所述栅极绝缘膜及所述保护绝缘膜的绝缘膜上且所述吸收层上方，与所述漏电极连接。