[发明专利]使用双气室喷头的亚稳态激活的自由基选择性剥离和蚀刻的系统和方法

摘要

一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统包括第一室和第二室。第一气体输送系统向所述第一室供应惰性气体物质。等离子体产生系统产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体。气体分配装置从所述等离子体中去除所述离子，阻挡由所述等离子体产生的紫外(UV)光，并将所述亚稳态物质输送到所述第二室。衬底支撑件设置在所述气体分配装置下方以支撑所述衬底。第二气体输送系统将反应性气体物质输送到所述气体分配装置或位于所述气体分配装置下方的容积空间中的一者。所述亚稳态物质将能量传递给所述反应性气体物质，以比所述衬底的至少一种其他暴露材料选择性地更多地蚀刻所述衬底的一种暴露材料。

主权项

1.一种用于选择性蚀刻衬底的衬底处理系统，其包括：第一室；第一气体输送系统，其用于向所述第一室供应惰性气体物质；等离子体产生系统，其用于产生在所述第一室中的包括离子和亚稳态物质的等离子体；第二室；气体分配装置，其设置在所述第一室和所述第二室之间，以从所述等离子体中去除所述离子，阻挡由所述等离子体产生的紫外(UV)光，并将所述亚稳态物质输送到所述第二室；衬底支撑件，其设置在所述气体分配装置下方以支撑所述衬底；以及第二气体输送系统，其用于将反应性气体物质输送到以下之一：所述气体分配装置；或位于所述气体分配装置下方的容积空间，其中所述亚稳态物质将能量传递给所述反应性气体物质，以比所述衬底的至少一种其他暴露材料选择性地更多地蚀刻所述衬底的一种暴露材料。