[发明专利]新型化合物、半导体材料、以及使用了其的膜以及半导体的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体材料和膜，其在溶剂中的溶解性高，并且具有高的填充性、耐热性以及/或者蚀刻耐受性。进一步提供使用了该半导体材料的半导体的制造方法。本发明提供一种新型化合物。提供了：一种由特定的芳香族烃环衍生物构成的半导体材料、以及使用了该半导体材料的膜以及半导体的制造方法。一种由特定的芳香族烃环衍生物构成的化合物。

主权项

1.一种由下述式(1)表示的化合物构成的半导体材料，[化学式i]X‑Y      式(1)式中，X是由下述式(2)表示的基团，[化学式ii]A为‑OH、‑NH₂或者‑SH，R₁为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，R_1’为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，R₂为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，R_2’为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，R₃为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，R_3’为氢、‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基、或者与苯基环进行结合的直接键，n₁为0、1或2，n₂为0、1或2，n₃为0、1或2，m为0、1、2或3，且Y是无取代或被一个或多个取代基取代的芳香族烃环基，该取代基选自‑OH、‑NH₂、‑SH、C_1～10的直链烷基、或者C_3～10的支化烷基。