[发明专利]新型化合物、半导体材料、以及使用了其的膜以及半导体的制造方法

权利要求书

1.一种半导体的制造方法，其包含以下的工序：

在基板上施加一层下层膜形成组合物，

将该层进行固化而制造下层膜，其中将该层进行固化的条件为在150～650℃煅烧30～180秒，

在该下层膜的上方形成一层光致抗蚀组合物，

将该光致抗蚀组合物进行固化而形成光致抗蚀层，

将由该光致抗蚀层进行了覆膜的基板进行曝光，

将经曝光的基板进行显影而形成抗蚀图案，

将该抗蚀图案设为掩模进行蚀刻，

对基板进行加工，

其中，该下层膜形成组合物包含由下述式(8)、(9)、(10)或者(11)表示的化合物构成的半导体材料与溶剂，

[化学式viii]

[化学式ix]

[化学式x]

[化学式xi]

A为-OH或者-NH₂，

R₁为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

R_1’为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

R₂为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

R_2’为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

R₃为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

R_3’为氢、-OH、-NH₂、-SH、或者与苯基环进行结合的直接键，

n₁为0、1或2，

n₂为0、1或2，

n₃为0、1或2，且

m为0、1、2或3。

2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其中，上述式(8)、(9)、(10)或者(11)的化合物具有42～120个碳原子数。