[发明专利]由单晶硅构成的半导体晶片和用于制备由单晶硅构成的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201780076669.0 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN110062824B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | T·米勒;M·格姆利希;A·扎特勒 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及具有前侧、后侧、中部和周边的由单晶硅半导体晶片，并涉及所述半导体晶片的制备，所述半导体晶片包括：从所述中部延伸至所述周边的空穴占优势的中性区域；从所述前侧延伸进入所述半导体晶片的内部中至不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×10 |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 构成 半导体 晶片 用于 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由单晶硅构成的半导体晶片，其具有前侧、后侧、中部和周边，其包括：从所述中部延伸至所述周边的Nv区域；从所述前侧延伸至进入所述半导体晶片的内部中不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×1013个空穴/cm3；不小于4.5×1017个原子/cm3且不超过5.5×1017个原子/cm3的氧浓度；所述半导体晶片的所述内部中的区域，该区域与所述洁净区邻接，并且具有可借助于热处理形成为具有不小于5.5×109/cm3的峰值密度的BMD的核，其中所述热处理包括在4小时的时段内将所述半导体晶片加热至800℃的温度，以及在16小时的时段内将其加热至1000℃的温度。
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