[发明专利]摄像元件和电子设备在审
| 申请号： | 201780075891.9 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110050347A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杉崎太郎 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;A61B1/04;G02B5/20;G02B5/28;G02B23/24;H04N9/07 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本技术涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。所述摄像元件包括像素阵列，在所述像素阵列中至少布置有：第一光接收部，其被构造成接收预定颜色的光；和第二光接收部，其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。而且，在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下，在布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 光接收部 摄像元件 像素阵列 波长带域 电子设备 预定颜色 带域 灵敏度差异 垂直线 | ||
【主权项】：
1.一种摄像元件，包括：像素阵列，在所述像素阵列中至少布置有：第一光接收部，其被构造成接收预定颜色的光；和第二光接收部，其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光，其中，在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下，位于布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
