[发明专利]摄像元件和电子设备在审
申请号: | 201780075891.9 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110050347A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 杉崎太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/04;G02B5/20;G02B5/28;G02B23/24;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光接收部 摄像元件 像素阵列 波长带域 电子设备 预定颜色 带域 灵敏度差异 垂直线 | ||
1.一种摄像元件,包括:
像素阵列,在所述像素阵列中至少布置有:第一光接收部,其被构造成接收预定颜色的光;和第二光接收部,其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光,
其中,在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下,位于布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,各个所述区域之中的位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置关于所述垂直线与所述水平线的交叉点是对称的。
3.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,各个所述区域之中的位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置关于所述垂直线或所述水平线是对称的。
4.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
与所述第二光接收部相邻的上方、下方光接收部之中的更靠近所述垂直线与所述水平线的交叉点的那个光接收部是第三光接收部,与所述第二光接收部相邻的左方、右方光接收部之中的更靠近所述交叉点的那个光接收部是第四光接收部,并且
由所述第三光接收部接收的颜色和由所述第四光接收部接收的颜色的组合在各个所述第二光接收部之间是一致的。
5.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置是基于所述第一块中的所述第一光接收部的灵敏度而被设定的。
6.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述垂直线与所述水平线的交叉点跟所述像素阵列的中心重合。
7.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述垂直线与所述水平线的交叉点位于光学系统的光轴上,所述光学系统用于将光引导到所述像素阵列。
8.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述第一光接收部和所述第二光接收部每一者都是像素。
9.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述第一光接收部和所述第二光接收部每一者都是一个像素内的光接收区域。
10.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述第二光接收部中使用的第二光学滤波器是具有在带域宽度上比所述第一光接收部中使用的第一光学滤波器的带域宽度窄的透射带域的光学滤波器。
11.根据权利要求10所述的摄像元件,其中,所述第二光学滤波器是等离子体滤波器。
12.根据权利要求10所述的摄像元件,其中,所述第二光学滤波器是法布里-珀罗干涉型滤波器。
13.根据权利要求1所述的摄像元件,其中
在所述像素阵列中,布置有:包括用于接收红色光的第五光接收部的第二块、包括用于接收绿色光的第六光接收部的第三块、包括用于接收绿色光的第七光接收部的第四块、和包括用于接收蓝色光的第八光接收部的第五块,
所述第一光接收部是所述第五光接收部至所述第八光接收部中的一者,并且
所述第一块是所述第二块至所述第五块中的一者。
14.根据权利要求13所述的摄像元件,其中,所述像素阵列中的所述第二块至所述第五块的颜色布置符合拜耳阵列的颜色布置。
15.根据权利要求13所述的摄像元件,其中,在所述第二块至所述第五块中,所述光接收部布置成两行×两列。
16.一种电子设备,其包括:
摄像元件;以及
信号处理器,其被构造成处理从所述摄像元件输出的信号,
其中,所述摄像元件包括像素阵列,在所述像素阵列中至少布置有:第一光接收部,其被构造成接收预定颜色的光;和第二光接收部,其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光,并且
在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下,位于布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的