[发明专利]摄像元件和电子设备在审
申请号: | 201780075891.9 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110050347A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 杉崎太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/04;G02B5/20;G02B5/28;G02B23/24;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光接收部 摄像元件 像素阵列 波长带域 电子设备 预定颜色 带域 灵敏度差异 垂直线 | ||
本技术涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。所述摄像元件包括像素阵列,在所述像素阵列中至少布置有:第一光接收部,其被构造成接收预定颜色的光;和第二光接收部,其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。而且,在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下,在布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
技术领域
本技术涉及摄像元件和电子设备,并且更具体地,涉及能够抑制光接收部的灵敏度差异的摄像元件和电子设备。
背景技术
传统上,已经提出了这样一种摄像元件,该摄像元件通过使用等离子体滤波器来检测预定的窄波长带域(窄带域)的光(下文中,也称为窄带域光)(例如,参见专利文献1)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:PCT国际申请公开号2016/059369
发明内容
本发明要解决的问题
这里,专利文献1说明了这样一种像素布置:其中,相同颜色的像素以2行×2列的块为单位布置着。在以这个方式把相同颜色的像素沿垂直方向或水平方向排列着的情况下,与其中把不同颜色的像素排列着的情况相比,在相同颜色的像素之间更可能出现灵敏度差异。
本技术是鉴于上述这种状况而做出的,并且本技术的目的是抑制例如像素等光接收部的灵敏度差异。
解决问题的技术方案
根据本技术的第一方面的摄像元件包括像素阵列,在所述像素阵列中至少布置有:第一光接收部,其被构造成接收预定颜色的光;和第二光接收部,其被构造成接收具有在带域宽度上比所述预定颜色的波长带域的带域宽度窄的波长带域的光。这里,在所述像素阵列被垂直线和水平线分成四个区域的情况下,位于布置有至少一个所述第一光接收部和至少一个所述第二光接收部的第一块中的所述第二光接收部的位置在各个所述区域中是不同的。
各个所述区域之中的位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置可以关于所述垂直线与所述水平线的交叉点是对称的。
各个所述区域之中的位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置可以关于所述垂直线或所述水平线是对称的。
与所述第二光接收部相邻的上方、下方光接收部之中的更靠近所述垂直线与所述水平线的交叉点的那个光接收部是第三光接收部,与所述第二光接收部相邻的左方、右方光接收部之中的更靠近所述交叉点的那个光接收部是第四光接收部,而且,由所述第三光接收部接收的颜色和由所述第四光接收部接收的颜色的组合在各个所述第二光接收部之间可以是一致的。
位于所述第一块中的所述第二光接收部的位置是可以基于所述第一块中的所述第一光接收部的灵敏度而被设定的。
所述垂直线与所述水平线的交叉点可以跟所述像素阵列的中心重合。
所述垂直线与所述水平线的交叉点可以位于光学系统的光轴上,所述光学系统用于将光引导到所述像素阵列。
所述第一光接收部和所述第二光接收部每一者都可以是像素。
所述第一光接收部和所述第二光接收部每一者都可以是一个像素内的光接收区域。
所述第二光接收部中使用的第二光学滤波器可以是具有在带域宽度上比所述第一光接收部中使用的第一光学滤波器的带域宽度窄的透射带域的光学滤波器。
所述第二光学滤波器可以是等离子体滤波器(plasmon filter)。
所述第二光学滤波器可以是Fabry-Perot(法布里-珀罗)干涉型滤波器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的