[发明专利]氮化物类电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780073634.1 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN110036489B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李相玟;丘璜燮;金铉济;郑熙锡 | 申请（专利权）人： | 瓦威士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/225;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;田飞飞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物类电子器件及其制造方法，氮化物类电子器件包括基板、金属的电极以及多个保护层，在所述保护层中，以使所述电极的上侧的局部不露出的方式覆盖所述电极的局部的至少两个保护层中，以使下侧的保护层的端部不露出的方式上侧的保护层覆盖下侧的保护层的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类电子器件，所述氮化物类电子器件包括基板、金属的电极以及多个保护层，其中，在所述保护层中，以使所述电极的上侧的局部露出的方式覆盖所述电极的局部的至少两个保护层中，以使下侧的保护层的端部不露出的方式上侧的保护层覆盖所述下侧的保护层的端部。
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