[发明专利]氮化物类电子器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种氮化物类电子器件及其制造方法，氮化物类电子器件包括基板、金属的电极以及多个保护层，在所述保护层中，以使所述电极的上侧的局部不露出的方式覆盖所述电极的局部的至少两个保护层中，以使下侧的保护层的端部不露出的方式上侧的保护层覆盖下侧的保护层的端部。

技术领域

本发明涉及一种氮化物类电子器件及其制造方法，更具体而言涉及一种能够提高稳定性及可靠性的氮化物类电子器件及其制造方法。

背景技术

通常，与Si、GaAs那种常规半导体材料相比，氮化物类电子器件具有较宽的能带隙，热稳定性及化学稳定性高，并具有高的电子饱和速度。从而，已知适用于高频、高输出领域。

氮化物类电子器件通过层积异质氮化物层即通道层和阻隔层而在接合面处产生较大的能带不连续性，能够通过较大的能带不连续性而产生高浓度的电子，从而能够提高电子迁移率。

具有这种特性的氮化物类电子器件通常使用树脂膜来防止水分渗透，但是湿气及温度变化可能会带来树脂膜的体积变化，这样的树脂膜体积变化可能会导致下侧氮化物类保护层的局部脱落。

水分会从保护层的脱落部分渗入，水分渗入容易导致金属电极板的表面氧化，其可能会降低使用高电压的氮化物类电子器件的稳定性及可靠性。

尤其，具有当如下结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)时湿气容易向漏电极板侧进入的结构，该高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构为：源电极板在基板背面侧形成通孔(Via)以连接外部电极，通过层积的钝化层和树脂膜中形成的开口部而使得漏电极板的上表面露出并连接外部电极。

日本公开特许公报2014-220463号(2014年11月20日公开，半导体装置)中公开了提高耐湿性的半导体装置的结构，尤其，详细公开了能够阻断湿气从漏极的上表面侧进入的结构。

根据上述公开专利的图6的(b)及(c)的结构可知那样，其具有如下结构：通过在漏电极板的上侧覆盖保护层和树脂膜并形成开口部来露出漏电极板上侧的局部，并且所述保护层的端部在漏电极板的上侧露出。

如上结构即便在树脂膜中形成与漏电极板的露出无关的开口部以防止树脂膜的体积变化带来的保护层脱落，微量水分可能还会通过薄膜之间缝隙进入，由此可能会降低器件的稳定性及可靠性。

另外，在形成用于露出漏电极板的开口部和用于防止保护层脱落的开口部时，存在因蚀刻停止层(etch stop)差异而实质上非常难以同时形成功能不同的两个开口部的问题。即，用于露出漏电极板的开口部的蚀刻停止层是金属即漏电极板，用于防止保护层脱落的开口部的蚀刻停止层是氮化物保护层，因此其工艺并不容易，由此需要通过额外的光蚀刻工艺来分别形成两个开口部，从而存在工艺步骤增加的问题。

发明内容

发明要解决的问题

考虑到如上问题的本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于提高耐湿性的氮化物类电子器件的结构及其制造方法。

另外，本发明所要解决的另一技术问题在于，提供一种能够提高耐湿性且防止工艺步骤增加的氮化物类电子器件及其制造方法。

另外，本发明所要解决的另一技术问题在于，提供一种不仅能够通过漏电极板的上侧还能够通过氮化物类电子器件的边缘部分端部来防止湿气进入的氮化物类电子器件及其制造方法。

解决问题的方案

用于解决如上所述问题的本发明的一方面提供一种氮化物类电子器件，在包括基板、金属的电极以及多个保护层氮化物类电子器件中，在所述保护层中，以使所述电极的上侧的局部露出的方式覆盖所述电极的局部的至少两个保护层中，以使下侧的保护层的端部不露出的方式上侧的保护层覆盖下侧的保护层的端部。