[发明专利]氮化物类电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780073634.1 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN110036489B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李相玟;丘璜燮;金铉济;郑熙锡 | 申请（专利权）人： | 瓦威士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/225;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;田飞飞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 电子器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物类电子器件，所述氮化物类电子器件包括基板、金属的电极以及多个保护层，其中，
在所述多个保护层中，以只使所述电极的上侧的中央局部露出的方式覆盖所述电极的上面周边部的至少两个保护层中，以使下侧的保护层的覆盖所述电极的上面周边部的一侧的端部不露出的方式上侧的保护层覆盖所述下侧的保护层的覆盖所述电极的上面周边部的一侧的端部，
在以彼此接触的方式层积所述保护层的芯片级侧面部中，
所述保护层的端面部与阻隔层直接接触，并且位于上侧的保护层覆盖位于下侧的保护层的端部，使得所述位于下侧的保护层的端部不露出。
2.根据权利要求1所述的氮化物类电子器件，其中，
在芯片级侧面部之间分别配置一个或者两个以上的作为所述电极的源电极、栅电极、漏电极。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物类电子器件，其中，
所述保护层中最上层的保护层是疏水性树脂材料。
4.根据权利要求3所述的氮化物类电子器件，其中，
所述疏水性树脂材料是BCB。
5.根据权利要求1所述的氮化物类电子器件，其中，
所述电极至少是漏电极板，并且包括场板。
6.一种氮化物类电子器件的制造方法，在基板的上侧依次形成通道层、阻隔层，并且交替形成保护层和电极，其中，
所述保护层中包含以只使所述电极的上侧的中央局部露出的方式形成于所述电极的上侧周边部的至少两个保护层，
以所述两个保护层中的下侧的保护层的端部位于所述电极的上侧的方式进行图案化，
以所述两个保护层中的上侧的保护层覆盖所述下侧的保护层的所述电极的上侧的一侧的端部来使所述下侧的保护层的端部不露出的方式进行图案化，
所述保护层在芯片级的侧面部分别直接接触而层积，
所述保护层的端面部与所述阻隔层直接接触，以位于上侧的保护层覆盖位于下侧的保护层的端部的方式进行图案化。
7.根据权利要求6所述的氮化物类电子器件的制造方法，其中，
所述保护层中位于最上层的保护层是通过涂布BCB并进行图案化来形成。
8.根据权利要求6所述的氮化物类电子器件的制造方法，其中，
所述电极至少是漏电极板，并且选择性地还包括场板。
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