[发明专利]半导体装置的制造方法以及封装装置在审
| 申请号： | 201780073186.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110036462A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 瀬山耕平 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置的制造方法包含：载置步骤，将透出对准标记(52)的临时基板(300)载置于接合面(51)；图像取得步骤，取得对准标记的图像(51)及半导体裸片(200)的图像；修正步骤，基于在图像取得步骤中取得的对准标记(300)的图像及半导体裸片(200)的图像，对将半导体裸片(200)压接于临时基板(300)的接合头(30)的水平方向的位置进行修正；以及压接步骤，基于修正后的水平方向的位置，将半导体裸片(200)压接于透射基板(300)。由此，提供能够抑制配置于临时基板上的半导体裸片之间的间隔的不均的半导体装置的制造方法以及封装装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体裸片 半导体装置 对准标记 临时基板 图像 压接 封装装置 图像取得 修正 制造 透射基板 接合面 接合头 载置 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包含：载置步骤，在接合面形成有对准标记的接合台上，将透出所述对准标记的透射基板载置于所述接合面；图像取得步骤，通过相机，从所述接合台的上方拍摄透过所述透射基板的所述对准标记，取得所述对准标记的图像；修正步骤，基于在所述图像取得步骤中取得的所述对准标记的图像，对将半导体裸片压接于所述透射基板的接合头的水平方向的位置进行修正；以及压接步骤，基于修正后的所述水平方向的位置，将所述半导体裸片压接于所述透射基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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