[发明专利]半导体装置和电位测量装置

摘要

本发明涉及半导体装置，当电极和放大器设置在同一基板上时，所述半导体装置能够通过提供可实现电极电镀工艺的构造来防止由产生的寄生电容引起的信号特性的劣化，还涉及电位测量装置。当电源提供用于执行电镀处理所需的电位时，阻断单元从液体读取信号，并且放大器放大并输出信号，电镀处理所需的电源相对于电极被阻断。本发明适用于电位测量装置。

主权项

1.一种半导体装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，所述参考电位产生单元和所述参考电位电极被构造成将参考电位提供给填充在容器中的液体；读取电极和放大器，所述读取电极和所述放大器被构造成从所述液体读取信号；电位提供单元，其被构造成在所述容器中填充电镀液代替所述液体，并且当对所述参考电位电极和所述读取电极执行电镀处理时，所述电位提供单元向所述参考电位电极和所述读取电极提供预定电位；以及断路器，其被构造成当所述容器填充有所述液体，在电位测量时在靠近所述放大器的位置处阻断来自所述电位提供单元的所述预定电位的供应，所述参考电位产生单元将所述参考电位提供给所述液体，所述读取电极从所述液体读取信号，且所述放大器放大并输出读取的信号，并且所述断路器被构造成当所述容器填充有所述电镀液并执行所述电镀处理时，提供来自所述电位提供单元的所述预定电位，其中，所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器、所述电位提供单元和所述断路器安装在同一基板上。