[发明专利]在工件沉积或植入掺杂物质的方法及处理工件的方法有效
| 申请号： | 201780068648.4 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109923641B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赛梅克·莎里曼;高琦;海伦·L·梅纳德 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种在工件上沉积掺杂物质或在工件中植入掺杂物质的方法及处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 工件 沉积 植入 掺杂 物质 方法 处理 | ||
【主权项】：
1.一种在工件上沉积掺杂物质的方法，包括：执行调节过程，所述调节过程包括：将调节气体引入离子源的等离子室中，所述调节气体包括掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述调节气体离子化以在所述等离子室的内表面上形成涂层，所述涂层包括呈固体形式的所述掺杂物质；以及在所述调节过程之后执行沉积过程，所述沉积过程包括：在形成所述涂层之后将工作气体引入所述等离子室中，其中所述工作气体不包括所述掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述工作气体离子化以产生离子及溅镀所述涂层，以使得所述掺杂物质沉积在所述工件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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