[发明专利]具有增强的广角性能的图像传感器有效
申请号: | 201780064714.0 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN109863602B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | E·汉尼尔特;N·科利 | 申请(专利权)人: | 因维萨热技术公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 成像装置(2000,2100,2200)包括光敏介质(2004,2204)和像素电路阵列(302),该像素电路阵列(302)以规则网格布置在半导体基板(2002)上并限定装置的相应像素(2006,2106)。像素电极(2012,2112,2212)分别连接到阵列中的像素电路,并且被耦合以从光敏介质的相应区域到像素电路读出光电荷。阵列的外围区域中的像素电极相对于规则网格在远离阵列中心的相应方向上在空间上偏移。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 广角 性能 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:光敏介质;像素电路的阵列,所述像素电路的阵列以规则网格布置在半导体基板上并限定所述装置的相应像素;以及像素电极,所述像素电极分别连接到所述阵列中的所述像素电路,并被耦合以从所述光敏介质的相应区域读出光电荷到所述像素电路,其中所述阵列的外围区域中的所述像素电极相对于所述规则网格在远离所述阵列的中心的相应方向上在空间上偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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