[发明专利]具有增强的广角性能的图像传感器

权利要求书

1.一种成像装置，包括：

光敏介质；

像素电路的阵列，所述像素电路的阵列以规则网格布置在半导体基板上并限定所述装置的相应像素；以及

像素电极，所述像素电极分别连接到所述阵列中的所述像素电路，并被耦合以从所述光敏介质的相应区域读出光电荷到所述像素电路，其中所述阵列的外围区域中的所述像素电极相对于所述规则网格在远离所述阵列的中心的相应方向上在空间上偏移。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述光敏介质包括量子膜。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述阵列的所述外围区域中的所述像素电极相对于所述阵列的所述中心中的所述像素电极在所述相应方向上被放大。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，并且包括物镜光学器件，所述物镜光学器件被配置为在所述光敏介质上形成物体的图像，其中所述外围区域中的所述像素电极在空间上偏移由所述物镜光学器件的主光线角度确定的位移。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，并且包括在所述光敏介质上形成的微透镜，其中与所述阵列的所述外围区域中的所述像素相关联的所述微透镜相对于所述规则网格在朝向所述阵列的所述中心的相应方向上在空间上偏移。

6.一种用于制作图像传感器的方法，所述方法包括：

在半导体基板上以规则网格形成像素电路的阵列，从而限定所述图像传感器的相应像素；

将像素电极分别连接到所述阵列中的所述像素电路，其中所述阵列的外围区域中的所述像素电极相对于所述规则网格在远离所述阵列的中心的相应方向上在空间上偏移；以及

耦合所述像素电极以从光敏介质的相应区域读出光电荷到所述像素电路。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述光敏介质包括量子膜。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述阵列的所述外围区域中的所述像素电极相对于所述阵列的所述中心中的所述像素电极在所述相应方向上被放大。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，并且包括布置物镜光学器件以在所述光敏介质上形成物体的图像，其中所述外围区域中的所述像素电极在空间上偏移由所述物镜光学器件的主光线角度确定的位移。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，并且包括在所述光敏介质上形成微透镜，其中与所述阵列的所述外围区域中的所述像素相关联的所述微透镜相对于所述规则网格在朝向所述阵列的所述中心的相应方向上在空间上偏移。