[发明专利]加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统有效
| 申请号： | 201780062987.1 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109964309B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·林德贝格 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673;C23C16/458;H01L21/687;C23C16/46;C30B25/12;H05B6/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：加热平面(E1)，所述加热平面在制造半导体芯片时能够平行于晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置。加热设备(100)还具有第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上径向地在加热平面(E1)中延伸，其中第一加热单元(110)具有至少一个感应加热元件(111，112，113，114，115)用于加热晶片复合件(201)的载体(203)。此外，加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点(x)延伸并且设置在加热平面(E1)中，其中第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。此外，提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的对应的方法和系统(300)。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 设备 晶片 复合 制造 半导体 芯片 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：‑加热平面(E1)，所述加热平面在制造所述半导体芯片时能够平行于所述晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置，以及‑第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上沿径向方向在所述加热平面(E1)中延伸，其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向(R)上彼此相邻地设置，并且分别距所述参考点(x)具有预设的间距，以及‑所述感应加热元件(111，112，113，114，115)构成为电磁体或永磁体，用于在所述晶片复合件(201)的载体(203)中产生涡流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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