[发明专利]加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统

权利要求书

1.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：

-加热平面(E1)，所述加热平面在制造所述半导体芯片时能够平行于所述晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置，以及

-第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上沿径向方向在所述加热平面(E1)中延伸，和

-第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕所述参考点(x)延伸并且设置在所述加热平面(E1)中，

其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向(R)上彼此相邻地设置，并且分别距所述参考点(x)具有预设的间距，以及

-所述感应加热元件(111，112，113，114，115)构成为电磁体或永磁体，用于在所述晶片复合件(201)的载体(203)中产生涡流。

2.根据权利要求1所述的加热设备(100)，

其中所述感应加热元件(111，112，113，114，115)以其磁极垂直于或基本上垂直于所述加热平面(E1)定向。

3.根据权利要求1或2所述的加热设备(100)，

其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件横向于径向方向(R)彼此相邻地设置，使得分别相邻的加热元件(111，112，113，114，115)在径向方向(R)上彼此间具有预设的偏移。

4.根据权利要求1或2所述的加热设备(100)，

其中所述第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。

5.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的方法，其中

-提供载体(203)，所述载体具有晶片平面(E2)和参考点(x)，其中所述载体(203)构成用于在所述晶片平面(E2)中容纳至少一个晶片复合件(201)，

-提供加热设备(100)，所述加热设备具有加热平面(E1)和第一加热单元(110)，所述第一加热单元相对于参考点(x)横向错开地设置在所述加热平面(E1)中，其中所述加热设备(100)以其加热平面(E1)平行于所述晶片平面(E2)设置，

-将至少一个晶片复合件(201)设置在所述载体(203)的所述晶片平面(E2)中，

-将所述载体(203)和所述加热设备(100)相对于彼此围绕穿过所述参考点(x)的垂直于所述加热平面(E1)和所述晶片平面(E2)的轴线旋转，

-控制所述第一加热单元(110)，使得影响所述载体(203)的温度，

-提供弯曲传感器，用于确定弯曲特征值，其中所述弯曲特征值代表所述至少一个晶片复合件(201)相对于所述晶片平面(E2)的弯曲，以及

-根据弯曲特征值来控制所述第一加热单元(110)。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中所述加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕所述参考点(x)延伸并且设置在所述加热平面(E1)中，其中所述第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)，并且在所述方法中

-控制所述第二加热单元(120)，使得影响所述载体(203)的温度。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中

-提供温度特征值，所述温度特征值代表所述载体(203)的所述晶片平面(E2)中的至少一个局部温度，以及

-根据所述温度特征值来控制所述第一加热单元(110)。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中提供温度传感器，借助于所述温度传感器来确定所述温度特征值。