[发明专利]加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统

说明书

提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：加热平面(E1)，所述加热平面在制造半导体芯片时能够平行于晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置。加热设备(100)还具有第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上径向地在加热平面(E1)中延伸，其中第一加热单元(110)具有至少一个感应加热元件(111，112，113，114，115)用于加热晶片复合件(201)的载体(203)。此外，加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点(x)延伸并且设置在加热平面(E1)中，其中第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。此外，提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的对应的方法和系统(300)。

本专利申请要求德国专利申请102016119328.3的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

技术领域

本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备以及用于在晶片复合件中制造半导体芯片的对应的方法和系统。

背景技术

在晶片复合件中制造半导体芯片时晶片复合件的局部温差会导致半导体芯片的不均匀的性能。例如，在不均匀的温度分布下制造发光二极管芯片的情况下预期这样制造的发光二极管芯片在运行中波长的移动和/或亮度的影响。

发明内容

本发明所基于的目的因此是，实现用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备以及对应的方法和系统，所述加热设备和方法或系统有助于在制造时局部精确地影响晶片复合件的温度。

所述目的通过一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备，一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统来实现。有利的设计方案的特征在于下面的描述。

根据第一方面，本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备。半导体芯片尤其可以是光电子半导体芯片，如发光二极管芯片。晶片复合件包括至少一个半导体芯片，优选多个半导体芯片，所述半导体芯片在制造的过程中设置在示例性为盘状的复合件中。

加热设备尤其是用于在制造至少一个半导体芯片时影响晶片复合件的温度的设备。加热设备有利地可以构成用于在制造的过程步骤中同时影响多个晶片复合件的温度。示例性地，在此上下文中一个或多个晶片复合件设置在载体上，该载体通过加热设备加热。过程步骤例如可以是在制造至少一个半导体芯片时施加一个或多个外延层。

在根据第一方面的一个有利的设计方案中，加热设备具有加热平面并且构成为，在制造半导体芯片时加热平面可以与晶片复合件中的半导体芯片的平面平行地设置。

加热平面在此情况下尤其理解为加热设备的横向延伸的平面。用晶片复合件中的半导体芯片的平面表示晶片复合件的横向延伸的平面，在晶片复合件盘状构成的情况下即为盘的平面。通过将晶片复合件平行于加热平面设置，尤其实现晶片复合件的温度的面状的影响。

在根据第一方面的另一有利的设计方案中，加热设备还具有第一加热单元，所述第一加热单元关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸。

用关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸表示在加热平面中的面积部分，所述面积部分具有沿径向方向的第一延伸分量以及横向于径向方向的第二延伸分量，其中第一延伸分量大于或等于第二延伸分量。尤其是，第一延伸分量为第二延伸分量多倍大，即至少两倍大，尤其至少四倍大，优选至少十倍大。在加热设备平行于上述载体以位置固定的方式设置的情况下，第一加热单元因此尤其仅仅覆盖载体的部分区域。

在根据第一方面的另一有利的设计方案中，加热设备具有加热平面，该加热平面在制造半导体芯片时可以与晶片复合件中的半导体芯片的平面平行地设置。此外，加热设备还具有第一加热单元，所述第一加热单元关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸。