[发明专利]具有减小的热形变的半导体光刻的投射曝光设备

摘要

本发明涉及半导体光刻的投射曝光系统，其包括在操作期间经受热应力的反射镜布置。反射镜布置包括具有光学活动表面(25)的反射镜载体(23)，该光学活动表面(25)布置在反射镜载体(23)的覆盖表面(24)上。为了冷却，提供了冷却系统(30)，其集成在反射镜载体(23)中并且具有冷却剂穿过其循环的冷却线(31)。冷却系统(30)配置为使得光学活动表面(25)可以将引入到反射镜载体(23)中的热应力至少部分地排放到反射镜载体(23)的背离覆盖表面(24)的后面区域(26)中。此外，冷却系统(30、60)包括：入口区域(32、62)，其邻接于反射镜载体(23、53)的覆盖表面(24、54)并且具有冷却剂供应线(35、65)；出口区域(33、63)，其布置在与反射镜载体(23、53)的覆盖表面(24、54)相距一距离处并且具有冷却剂排放线(36、66)；以及一个或多个连接线(34、64)，其将入口区域(32、62)连接到出口区域(33、63)，其中连接线(34、64)配置为使得它们以节流的方式作用在在入口区域(32、62)和出口区域(33、63)之间的冷却剂的流动上。

主权项

1.一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包含具有至少一个光学活动表面(25)的至少一个反射镜布置，所述至少一个光学活动表面(25)布置在反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)上，并且所述至少一个反射镜布置具有在所述反射镜载体(23、53)中集成的冷却系统(30、60)，其中冷却流体循环穿过冷却线(31、61)，所述冷却流体用于将经由所述光学活动表面(25)引入到所述反射镜载体(23、53)中的热负载至少部分地消散到所述反射镜载体(23、53)的远离所述顶表面(24、54)的后面区域(26)中，其中所述冷却系统(30、60)包括：入口区域(32、62)，其邻接所述反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)、具有冷却流体馈送线(35、65)，出口区域(33、63)，其布置在与所述反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)相距一距离处、具有冷却流体排出线(36、66)，以及一个或多个连接线(34、64)，其将所述入口区域(32、62)连接到所述出口区域(33、63)，其中所述连接线(34、64)设计为使得它们对在所述入口区域(32、62)和所述出口区域(33、63)之间的冷却剂的流动施加节流的作用。