[发明专利]具有减小的热形变的半导体光刻的投射曝光设备

权利要求书

1.一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包含具有至少一个光学活动表面(25)的至少一个反射镜布置，所述至少一个光学活动表面(25)布置在反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)上，并且所述至少一个反射镜布置具有在所述反射镜载体(23、53)中集成的冷却系统(30、60)，其中冷却流体循环穿过冷却线(31、61)，所述冷却流体用于将经由所述光学活动表面(25)引入到所述反射镜载体(23、53)中的热负载至少部分地消散到所述反射镜载体(23、53)的远离所述顶表面(24、54)的后面区域(26)中，其中所述冷却系统(30、60)包括：

入口区域(32、62)，其邻接所述反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)、具有冷却流体馈送线(35、65)，

出口区域(33、63)，其布置在与所述反射镜载体(23、53)的顶表面(24、54)相距一距离处、具有冷却流体排出线(36、66)，

以及一个或多个连接线(34、64)，其将所述入口区域(32、62)连接到所述出口区域(33、63)，

其中所述连接线(34、64)设计为使得它们对在所述入口区域(32、62)和所述出口区域(33、63)之间的冷却剂的流动施加节流的作用，以及

所述连接线(34、64)具有比所述入口区域(32、62)的流动横截面(37、67)更小的流动横截面(38、68)。

2.根据权利要求1所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述连接线(34、34’、34”)具有不同流动横截面(38、38”)，其中所述连接线(34’)中靠近于冷却液体馈送线(35)的至少一些与远离所述冷却液体馈送线(35)的那些连接线相比具有更小的流动横截面(38’)。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述入口区域(32、62)实质上覆盖所述反射镜载体(23、53)的整个光学活动表面(25)或顶表面(24、54)。

4.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

水或酒精用作所述冷却流体。

5.根据权利要求4所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

乙二醇用作所述冷却流体。

6.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述反射镜载体(23)配备有在远离所述顶表面(24)的背面(27)的区域中的加热装置(42、42’、42”)。

7.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述冷却系统(30)的出口区域(33)配备有热交换器(43)。

8.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述反射镜布置是掠入射或垂直入射反射镜。

9.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述反射镜布置是分面反射镜(16、17)。

10.根据权利要求9所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述光学活动表面(25)布置在反射镜元件(55)上，所述反射镜元件(55)至少部分地接合在所述反射镜载体(53)的插入开口(28)中。

11.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述反射镜布置具有微反射镜阵列。

12.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备(1)，

其特征在于，

所述反射镜载体(23、53)至少部分地由不锈钢、铝、SiSiC、硅、Zerodur或ULE构成。