[发明专利]用于防止极低K电介质分层的部分金属填充在审
| 申请号： | 201780056517.4 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109716514A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王忠泽;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在电介质层上的超厚金属(UTM)导体的占用面积内提供部分金属填充来加强电介质层，以抑制UTM导体的分层，而不会在UTM导体和部分金属填充之间引起显著的电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 金属填充 电介质层 分层 低K电介质 电耦合 超厚 金属 占用 | ||
【主权项】：
1.一种电路封装，包括：基板；在所述基板的表面上的电介质层；在所述电介质层内的多个金属层；和在所述电介质层的表面上的超厚金属UTM导体；其中所述多个金属层被配置为多个金属焊盘，并且其中所述UTM导体的占用面积内的所述电介质层配置有多个过孔，所述多个过孔将所述多个金属焊盘中的所述金属层的相邻的对之间的个体金属焊盘连接到多个中断的过孔堆叠中，所述多个中断的过孔堆叠不跨超过所述金属层中的三层延伸。
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