[发明专利]保护膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201780056169.0 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109952631B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 桥本雄人;德永光;绪方裕斗;大桥智也;境田康志;岸冈高广 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C08G59/62;C08G65/28;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;李照明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有所述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有所述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％，![]()
式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
