[发明专利]芯片级封装发光二极管有效
| 申请号： | 201780051117.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109643746B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吴世熙;金钟奎;李俊燮 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/10;H01L33/46;H01L33/52;H01L33/02;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种芯片级封装发光二极管。在根据本实施例的发光二极管中，使焊盘金属层暴露的开口部与使形成于台面上的欧姆反射层暴露的下部绝缘层的开口部隔开。因此，能够防止焊料，特别是Sn扩散而污染欧姆反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：基板；第一导电型半导体层，布置于所述基板上；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包含活性层及第二导电型半导体层；欧姆反射层，布置于所述台面上，并电连接于所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述台面及欧姆反射层，并包含使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，并包含使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述上部绝缘层的第二开口部与所述下部绝缘层的第二开口部隔开。
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