[发明专利]导电性C面GaN基板有效
| 申请号： | 201780048923.6 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN109563642B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 三川丰;藤泽英夫;望月多惠;浪田秀郎;川端绅一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;C30B29/38;C30B7/10;C30B33/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10 |
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| 搜索关键词： | 导电性 gan 基板 | ||
【主权项】：
1.一种导电性C面GaN基板，在室温下其电阻率为2×10‑2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm‑3以上，进而在其至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段，(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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