[发明专利]半导体制造用反应室的清洗方法在审
| 申请号： | 201780043539.7 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109478510A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 羽深等;高桥至直;深江功也 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人横滨国立大学;关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有效地除去用三氟化氯清洗半导体制造用反应室之后所残留的氟原子的方法。将制造了半导体后的半导体制造用反应室内暴露于三氟化氯中，在除去了所述反应室内所残存的除去对象物之后，将所述反应室内用选自氮、氩、氦和氢中的至少1种气体进行热处理。优选的是，一边测定所述反应室内的温度一边将所述反应室内暴露于三氟化氯中，所述反应室内的温度下降至设定温度后，停止向所述反应室内供给三氟化氯。 | ||
| 搜索关键词： | 室内 三氟化氯 半导体制造 反应室 清洗 热处理 对象物 氟原子 有效地 暴露 优选 半导体 残留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造用反应室的清洗方法，其具有下述工序：将制造了半导体后的半导体制造用反应室内暴露于三氟化氯中，在除去了所述反应室内所残存的除去对象物之后，将所述反应室内用选自氮、氩、氦和氢中的至少1种气体进行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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