[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

摘要

提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。在将作为基板的晶圆(W)载置于热板(23)来进行加热处理时，利用检测模块(11)来检测晶圆(W)的变形，所述热板(23)具备沿周向设定的多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。而且，基于该检测结果，利用检测模块(11)来调整晶圆(W)的周向上的朝向，之后将该晶圆(W)搬送到加热模块(12)来进行规定的加热处理。因而，即使晶圆(W)发生相对于与该晶圆(W)的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制晶圆(W)中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，容易使加热控制区域的温度控制反映到晶圆温度中，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。

主权项

1.一种基板处理装置，将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。