[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。在将作为基板的晶圆(W)载置于热板(23)来进行加热处理时，利用检测模块(11)来检测晶圆(W)的变形，所述热板(23)具备沿周向设定的多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进行温度控制。而且，基于该检测结果，利用检测模块(11)来调整晶圆(W)的周向上的朝向，之后将该晶圆(W)搬送到加热模块(12)来进行规定的加热处理。因而，即使晶圆(W)发生相对于与该晶圆(W)的中心轴正交的面的高度在周向上不同的变形，也能够抑制晶圆(W)中的变形量大的区域被载置于多个加热控制区域间的边界。因此，容易使加热控制区域的温度控制反映到晶圆温度中，从而能够改善晶圆面内的加热处理的均匀性。

技术领域

本发明涉及一种将基板载置于载置部来进行加热处理的技术。

背景技术

在半导体制造工艺中，在基板、例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)形成涂布膜之后，将晶圆载于设置有加热器的载置台来进行加热处理。为了提高晶圆面内的加热处理的均匀性，期望载置于载置台的晶圆与载置台表面之间的距离一致。另外，由于存储单元的多层化，产生了加热处理前的晶圆变形为特异的形状的例子。所谓特异的形状并不是指晶圆变形为同心圆状的凸型、凹型，而是指与晶圆的中心轴正交的面的高度在周向上不同的形状，例如鞍型形状。在今后，层叠化会进一步发展，预测晶圆的变形量(翘曲量)会比目前大。因此，在进行加热处理时，晶圆与载置台表面之间的距离不一样，具有晶圆温度的面内均匀性变差的担忧。

进行加热处理的加热模块构成为，将晶圆的被加热区域分割为多个被加热区域，针对各分割区域分别设置加热器，对各加热器独立地进行发热控制。作为调整加热器的控制系统的参数的方法，已知如专利文献1所记载那样的方法，在该方法中，进行控制以使在多个测量点测量载置台(热板)的温度时所得的各测量温度与各目标温度一致。然而，在晶圆与载置台表面之间的距离在周向上不同的情况下，例如若载置台表面与晶圆之间的距离大的部位载置于多个分割区域间的边界，则即使控制加热器也难以使加热器的热传递到晶圆，因此难以将加热器的热反映到晶圆温度中。因而，为了进行面内均匀性良好的加热处理，需要进一步的改善。

专利文献1：日本专利第4391518号

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。

用于解决问题的方案

因此，本发明的基板处理装置将基板载置于载置部来进行加热处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：加热控制区域，沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域，以对载置于所述载置部的基板进行加热，各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及调整部，其基于与基板的变形有关的信息，来调整相对于多个所述加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。

另外，本发明的基板处理方法的特征在于，包括以下工序：检测基板的变形，该基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同；使用沿载置部的周向设定的多个加热控制区域，基于通过所述检测基板的变形的工序得到的检测结果，来调整相对于所述多个加热控制区域的在周向上的排列的、基板的周向上的相对朝向，各加热控制区域用于对载置于载置部的基板进行加热，且各加热控制区域被相独立地进行温度控制；以及在调整了所述基板的周向上的相对朝向的状态下对基板进行加热处理。

并且，本发明的存储介质存储有在将基板载置于载置部来进行加热处理的基板处理装置中使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，所述计算机程序中编入有步骤组，以实施本发明的基板处理方法。

发明的效果