[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201780040255.2 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN109417024B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 三坂晋一朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;C23C16/46;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置,将基板载置于载置部来进行加热处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
加热控制区域,沿载置部的周向设定有多个所述加热控制区域,以对载置于所述载置部的基板进行加热,各所述加热控制区域被相独立地进行温度控制;以及
调整部,其基于与基板的变形有关的信息,通过调整基板的周向上的朝向或者多个所述加热控制区域的排列,以使得所述基板的变形最大的部位不被配置于在周向上邻接的加热控制区域的边界处,所述基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备变形信息获取部,所述变形信息获取部获取所述与基板的变形有关的信息。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述变形信息获取部为用于检测所述基板的变形的检测部。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述载置部兼作热板,被沿周向配置的多个加热器进行加热。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述调整部为在将基板载置于载置部之前基于所述与基板的变形有关的信息来调整该基板的朝向的机构。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述调整部为基于所述与基板的变形有关的信息来调整多个所述加热控制区域的在周向上的排列的机构。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述调整部包括:多个加热机构,所述多个加热机构沿载置部的周向配置;以及开关部,其从所述多个加热机构中选择与各加热控制区域对应的加热机构的组合。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述信息为由距离测量部测量出的测量结果,所述距离测量部在与基板正交的方向上沿基板的周向测量距基板的距离。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
检测部,其用于检测所述基板的周向上的变形;以及
控制部,其基于所述检测部的检测结果来输出用于调整所述基板的周向上的相对朝向的控制信号。
10.一种基板处理方法,其特征在于,包括以下工序:
检测基板的变形,该基板的变形是基板相对于与基板的中心轴正交的面的高度在周向上不同;
使用沿载置部的周向设定的多个加热控制区域,基于通过所述检测基板的变形的工序得到的检测结果,通过调整基板的周向上的朝向或者多个所述加热控制区域的排列,以使得所述基板的变形最大的部位不被配置于在周向上邻接的加热控制区域的边界处,各加热控制区域用于对载置于载置部的基板进行加热,且各加热控制区域被相独立地进行温度控制;以及
在调整了所述基板的周向上的相对朝向的状态下对基板进行加热处理。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其特征在于,
调整所述基板的周向上的相对朝向的工序为在将基板载置于载置部之前基于所述检测结果来调整该基板的朝向的工序。
12.根据权利要求10所述的基板处理方法,其特征在于,
调整所述基板的周向上的相对朝向的工序为基于所述检测结果来调整所述多个加热控制区域的在周向上的排列的工序。
13.一种存储介质,存储有在将基板载置于载置部来进行加热处理的基板处理装置中使用的计算机程序,所述存储介质的特征在于,
所述计算机程序中编入有步骤组,以实施根据权利要求10所记载的基板处理方法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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