[发明专利]用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构有效
| 申请号： | 201780040172.3 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109417022B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | S·辛哈罗伊;K·陈;H·M·李;S·卡玛斯;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32;H01L21/324;H10B41/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nand 存储器 器件 基于 cvd 氧化物 金属 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将基板放入处理腔室中；和在所述基板上形成含金属层，其中在所述基板上形成含金属层包括：将所述基板的温度增加到处理温度；使含金属的前驱物和氮气流入所述处理腔室中，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从10:1至1:3；和通过以高频射频功率和低频射频功率点燃所述含金属的前驱物和所述氮气来在所述处理腔室内部形成等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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