[发明专利]用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构

权利要求书

1.一种形成含金属层的方法，包括：

将基板放入处理腔室中；

在所述基板上形成种晶层；以及

在所述种晶层上形成含金属层，其中在所述种晶层上形成含金属层包括：

将所述基板的温度增加到处理温度；

使含金属的前驱物和氮气流入所述处理腔室中，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从10:1至1:2；以及

通过以高频射频功率和低频射频功率点燃所述含金属的前驱物和所述氮气来在所述处理腔室内部形成等离子体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属层包含钴、钼、钨、钽、钛、钌、铑、铜、铁、锰、钒、铌、铪、锆、钇、铝、锡、铬或镧。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述处理温度的范围为从350摄氏度至450摄氏度。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述低频射频功率的范围为0.071W/cm²至0.283W/cm²。

5.一种形成含金属层的方法，包括：

将基板放入处理腔室中；

在所述基板上形成种晶层；其中所述种晶层包含氮化钛、氮化钼、氮化钨、非晶硼或非晶硅；以及

在所述种晶层上形成含金属层，其中在所述种晶层上形成含金属层包括：

将所述基板的温度增加到处理温度；

使含金属的前驱物和氮气流入所述处理腔室中，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从10:1至1:3；以及

通过以高频射频功率和低频射频功率点燃所述含金属的前驱物和所述氮气来在所述处理腔室内部形成等离子体。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述含金属层包含钴、钼、钨、钽、钛、钌、铑、铜、铁、锰、钒、铌、铪、锆、钇、铝、锡、铬或镧。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述处理温度的范围为从350摄氏度至450摄氏度。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述低频射频功率的范围为0.071W/cm²至0.283W/cm²。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从10:1至1:2。

10.如权利要求5所述的方法，其中所述处理温度的范围为从500摄氏度至600摄氏度。

11.如权利要求10的方法，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从5:1至1:3。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述低频射频功率的范围为0.071W/cm²至0.566W/cm²。

13.一种形成含金属层的方法，包括：

将基板放入处理腔室中；

在所述基板上形成种晶层；以及

在所述种晶层上形成含金属层，其中在所述种晶层上形成含金属层包括：

将所述基板的温度增加到处理温度；

使含金属的前驱物和氮气流入所述处理腔室中，其中所述含金属的前驱物的流率与所述氮气的流率的比率的范围为从5:1至1:3；以及

通过以高频射频功率和低频射频功率点燃所述含金属的前驱物和所述氮气来在所述处理腔室内部形成等离子体。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述含金属层包含钴、钼、钨、钽、钛、钌、铑、铜、铁、锰、钒、铌、铪、锆、钇、铝、锡、铬或镧。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述处理温度的范围为从500摄氏度至600摄氏度。