[发明专利]短沟道沟槽功率MOSFET有效
| 申请号： | 201780035730.7 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109314142B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | R.米娜米萨瓦;L.诺勒 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的一个目的是提供一种功率半导体装置，其具有低接通状态电阻，同时避免任何短沟道效应并且具有低阈值下斜率。为了达到这个目的，本发明提供一种沟槽功率半导体装置，其包括第一导电类型的补偿层(15)，其中补偿层(15)与第二导电类型的沟道区直接相邻地在第一导电类型的源极层(5)与第一导电类型的衬底层(9)之间在栅极绝缘层(11)上延伸，并且其中： |
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| 搜索关键词： | 沟道 沟槽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体装置，包括：具有第一导电类型的衬底层(9)；体层(6)，所述体层(6)被设置在所述衬底层(9)上，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；源极层(5)，所述源极层(5)被设置在所述体层(6)上，并且具有所述第一导电类型，其中所述体层(6)包括从所述源极层(5)延伸到所述衬底层(9)的沟道区，电传导栅极电极(10)，所述电传导栅极电极(10)穿透所述体层(6)，用于控制所述沟道区的电传导率，栅极绝缘层(11)，所述栅极绝缘层(11)使所述栅极电极(10)与所述衬底层(9)、与所述体层6并且与所述源极层(5)电绝缘，所述第一导电类型的补偿层(15)，所述补偿层(15)与所述沟道区直接相邻地在所述源极层(5)与所述衬底层(9)之间在所述栅极绝缘层(11)上直接延伸，所述沟道区被定义为具有离所述补偿层(15)小于0.1 μm的距离的所述体层(6)的一部分，其中：![]()
，其中，Lch是沟道长度，εCR是所述沟道区的电容率，εGI是所述栅极绝缘层(11)的电容率，tCOMP是所述补偿层(15)沿与所述栅极绝缘层(11)和所述补偿层(15)之间的界面正交的方向的厚度，以及tGI是所述栅极绝缘层(11)的厚度，其特征在于，所述补偿层(15)的所述厚度tCOMP处于从1 nm至10 nm的范围中。
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