[发明专利]具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片有效
| 申请号： | 201780035592.2 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN111201341B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 舒柏·巴萨克;伊格·佩杜斯;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森;李衡敏;金昞天;罗伯特·J·法斯特 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种用于制备单晶硅锭的方法及从其切割的晶片。所述锭和晶片包括至少约1x10 |
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| 搜索关键词： | 具有 改进 机械 强度 电阻率 单晶硅 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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